3.28万亿元！长鑫科技（688825.SH）7月27日正式在科创板挂牌上市，截至收盘总市值超越工商银行（601398.SH），登顶A股市值榜首。

作为国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头，长鑫科技发行价为8.66元/股，上市首日开盘报49.50元，较发行价大涨471.59%；盘中最高摸至55.03元、最低38.11元，截至收盘报49.00元，全天上涨465.82%。

首秀刷新多项A股纪录：上市首日成交额高达1411.87亿元，开盘不足一小时即突破千亿，成为A股历史上首只单日成交额突破千亿元的个股，全天换手率达66.4%；公司本次IPO初始发行66.88亿股，超额配售选择权行使前募集资金总额约579.19亿元，超越2020年上市的中芯国际（688981.SH）532.30亿元的纪录，成为科创板史上最大IPO，也是A股近19年来最大IPO、亚洲年内最大IPO。

作为国内唯一实现DRAM规模化量产的IDM（垂直整合制造）厂商，长鑫科技的上市不仅是中国半导体存储产业发展的里程碑事件，更进一步撼动全球DRAM市场维持了近三十年的寡头竞争格局。长鑫科技上市后，大规模资本开支有望带动国产设备、材料加速本土化渗透，其大规模扩产也将带动中游封测、下游存储模组厂商深度绑定本土核心晶圆厂，进一步完善国产半导体产业生态，推动我国集成电路产业链朝着更高水平迈进。

市值超越一众万亿龙头

长鑫科技的上市首秀，从集合竞价阶段便创下纪录。开盘价49.50元，较发行价大涨471.59%，对应总市值约3.31万亿元，开盘即“空降”A股市值第一位，超越工商银行、贵州茅台（600519.SH）、宁德时代（300750.SZ）等一众万亿龙头。

早盘开盘后15分钟，受中签筹码集中兑现影响，长鑫科技的涨幅收窄至约340%，并下探至全日最低点38.11元，较开盘价下跌约23%。股价在10点前后企稳回升，先后突破40元、50元整数关口。临近午盘，买盘加速涌入，股价一度涨至55.03元的全日最高点，涨幅扩大至535.45%。截至午间收盘，长鑫科技报54.65元，半日涨幅531.06%，对应总市值3.66万亿元。

午后，长鑫科技的交投活跃度有所下降，股价呈现高位震荡格局，最终收盘报49元，收涨465.82%，振幅达195.38%，全天换手率66.40%，意味着上市首日约三分之二的可流通筹码完成了交换，多空博弈较为激烈。

长鑫科技的成交金额更是写下了A股市场的历史性一笔。上午10时19分左右，即开盘不到一小时，长鑫科技的成交额突破1000亿元，刷新A股单只个股首小时成交纪录。截至午间收盘，长鑫科技半日成交额已达1221亿元，全天最终成交额定格在1411.87亿元，公司也成为A股历史上首只单日成交额突破千亿元的个股，此前的纪录由东方财富在2024年10月9日创下，为900.38亿元，长鑫科技将原纪录大幅提升57%。

市值维度上，长鑫科技同样创造了多项第一。截至收盘，该公司总市值3.28万亿元稳居A股首位，相当于两个贵州茅台的市值规模。从全球范围看，长鑫科技的市值已超越美股英特尔7月24日收盘的4655.7亿美元（约合人民币3.15万亿元），成为全球市值排名前列的半导体企业，这也是A股历史上首只科技股市值超越美股知名科技股市值。另外，长鑫科技的盘中最高3.66万亿元的市值，一度超过港股腾讯控股（00700.HK）的同期市值。

从市值占比维度来看，长鑫科技收盘市值占科创板总市值的比例为17.7%，占A股总市值（162.56万亿元）的比例为2.02%，公司成为科创板有史以来市值占比最高的个股。目前科创板总市值约18.48万亿元，长鑫科技与中芯国际共同构成科创板半导体产业的两大万亿级龙头。

有望带动全产业链升级

长鑫科技的上市并非单纯的资本事件，而是中国半导体存储产业从“跟跑”迈向“并跑”的标志性节点。

根据Omdia（全球知名科技市场研究咨询机构）数据，按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技全球DRAM市场份额达到7.67%，位列全球第四、中国第一；进入2026年一季度，这一份额进一步提升至约8%。长期以来，全球DRAM市场被三星电子、SK海力士、美光科技三家企业垄断，合计占据90%以上的市场份额。长鑫科技的崛起，正在逐步改变这一维持了近三十年的寡头竞争格局。

长鑫科技采用IDM全流程垂直整合模式，在合肥、北京两地布局3座12英寸DRAM晶圆厂，当前月产能约28万片。通过“跳代研发”策略，公司已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X全系列，核心技术达到国际先进水平。产品结构上，LPDDR系列占比65.86%，DDR系列占比31.60%，终端客户涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等国内各领域头部企业。

业绩层面，受益于存储超级周期与AI算力需求爆发，长鑫科技近年实现了扭亏为盈的跨越式增长。2023年至2025年，公司营收分别为90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元，归母净利润分别为-163.4亿元、-71.45亿元、18.75亿元，2025年首次实现年度盈利。

进入2026年，伴随存储需求持续增长叠加产品涨价，长鑫科技的盈利增速进一步放大。根据招股书，长鑫科技的一季度单季营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，单季利润已是2025年全年的13.2倍。公司预计，2026年上半年营收1100亿元至1200亿元，同比增长613%至677%；归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244%至2544%。

对于业绩增长原因，长鑫科技解释称，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势，同时，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入迅速增长。

从电脑、智能手机到各类智能穿戴电子产品，纵观历史，每轮存储大周期的开启都由新兴技术推动产品升级，进而催生需求总量与价值量的双重提升。当前AI驱动服务器DRAM需求持续扩容，全球存储芯片市场正站在新一轮大周期的起点。

国金证券研报指出，预计2030年全球存储芯片市场规模有望增长至5710亿美元，2025至2030年复合增速达30.56%。中泰证券测算显示，中国DRAM市场需求约占全球的34%，按长鑫科技营收份额计算，2026年一季度国产化率仅约23%，国产替代空间依然广阔。

长鑫科技正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振阶段。公司作为本土存储链主企业，其上市后的大规模资本开支将直接转化为上游设备与材料的采购订单，有望加速提升国产化渗透率，进一步完善国内半导体产业生态，这也是市场聚焦国产半导体产业链后续发展的另一大重点。

长鑫科技此次IPO募集资金中，约295亿元将直接投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级、前瞻技术研发三大项目，其中设备购置及安装费用合计达220.66亿元，三大募投项目预计2028年竣工验收，持续推进产能升级与工艺迭代。

长鑫产线是国产半导体设备最重要的验证与应用平台，近年持续提升国产设备采购比例。设备环节中，北方华创的PVD/CVD设备、中微公司的刻蚀设备、拓荆科技的薄膜沉积设备、盛美上海的湿法清洗设备、精智达的存储测试设备等正在加速导入国产链，这些设备供应商有望跟随长鑫科技的扩产步伐实现业绩增长。

原材料方面，根据招股书，2025年长鑫科技原材料采购总额达114.7亿元，覆盖电子化学品、光刻胶、硅片、电子特气、靶材等多个品类，江化微、晶瑞电材、安集科技、沪硅产业、华特气体、江丰电子等A股上市公司均为其核心供应商。封测环节主要合作方包括盛合晶微、长电科技、通富微电等国内头部企业。