碳化硅多场景突破,AI算力爆发催生全新增长极,概念股集体狂欢 2024碳化硅爆发增长 碳化硅在半导体材料领域取得突破
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2026-05-14 18:29:51
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5月14日,碳化硅概念涨幅居前,板块内多只个股涨停。截至收盘,晶升股份(688478.SH)、正帆科技(688596.SH)双双收获20CM涨停,天岳先进(688234.SH)涨15.26%,天富能源(600509.SH)涨10.01%。

消息面上,投研机构Citrini发布的AI供应链报告显示,碳化硅被列为AI领域被严重忽略的核心主线,市场预期其未来在AI电源和先进封装领域的需求将大幅增长。



多赛道共振,开启产业新周期

碳化硅衬底是第三代半导体核心材料,是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石之一。随着全球能源转型与人工智能算力需求爆发,碳化硅产业竞争已从单点技术突破进入全生态布局的新阶段。

凭借其高耐压、高频率、低损耗的优异性能,碳化硅正加速渗透新能源汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)及直流变换器(DC-DC)。机构数据显示,采用碳化硅模块可使电动汽车续航里程提升5%至10%,或降低电池成本。

中金公司在研报中指出,碳化硅(SiC)材料是第三代化合物半导体的典型代表,特别是在下游需求快速增长的新能源相关应用中,SiC相比Si基材料更具优势。在新能源汽车领域,SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点。在光伏发电领域,SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。

除新能源汽车、光储充等赛道外,碳化硅在AI数据中心(AIDC)、固态变压器(SST)、AR眼镜/光学领域、先进封装等领域也实现了技术应用的突破。

AI算力的指数级爆发,正倒逼数据中心进行供电架构的革命性升级。880V高压直流(HVDC)成为行业主流选择,而固态变压器作为核心枢纽,为碳化硅技术带来前所未有的市场机遇。在AR眼镜/光学领域,半绝缘型SiC衬底凭借高折射率、高透光、高热稳等特性,在AR/VR光学领域实现突破性应用,成为消费电子领域新的增长点。

在先进封装领域,碳化硅的高热导率、高机械强度和良好的电绝缘性,使其成为芯片封装领域的理想材料。在2.5D/3D封装中,碳化硅中介层可替代硅中介层,有效降低芯片运行温度,提升散热性能,同时减少封装尺寸,满足高功耗芯片的散热需求。

国内企业布局提速,产销与技术双突破

产业风口下,国内企业加速布局碳化硅领域,在技术研发、产能扩张、市场拓展等方面持续突破,实现产销与技术的全面提升。东方证券分析称,随着英伟达GPU芯片的功率越来越大,将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求,而如果采用导热率更好的SiC中介层,其散热片尺寸有望大幅缩小,优化整体封装尺寸。

基于此,多家上市公司已在挖掘碳化硅在中介层的应用潜力,碳化硅导热性能优异,有望在中介层、散热基板等环节应用,相关厂商有望受益。根据Wolfspeed预测,2026年SiC相关器件市场有望达到89亿美元,衬底市场有望达到17亿美元,合计市场规模超百亿元。

天岳先进此前在接受调研时表示,随着行业持续向大尺寸升级,8英寸碳化硅衬底产品正进入快速发展的关键阶段,未来有望成为带动行业增长和公司结构升级的核心方向,下游新能源汽车800V高压平台、工业电源、数据中心等场景对大尺寸、高性能碳化硅器件需求持续提升,将推动8英寸产品市场扩容。2025年,该公司碳化硅衬底产量折合达到69.04万片,同比增长68.31%;全年对外销售63.33万片,同比增长75.33%,产销规模稳步提升,产能运营与交付效能保持良好水平。

三安光电(600703.SH)在2025年年报中指出,8英寸N型SiC晶体低位错生长技术开发已完成并导入量产,实现了8英寸碳化硅长晶良率、晶体内应力及缺陷质量的大幅提升。其产品性能的提升和碳化硅衬底成本的降低,有效增强了产品竞争力。三安光电同时透露,公司在碳化硅领域围绕车规级应用发力,已进入下游客户供应商名录,稳步推进与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目,湖南三安的12寸碳化硅衬底已向客户送样验证。

科创新材(920580.BJ)主营耐火材料等业务,近年来大力拓展碳化硅复合材料业务。该产品主要用于新能源电池材料(如锂电池负极包覆碳化、正极材料焙烧),且公司表示未来有望向半导体封装材料等高端领域延伸。2026年第一季度,该公司业绩表现亮眼,实现营收2902.56万元,同比增长70.51%;归母净利润523.31万元,同比增长132.77%。

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