四条路线基本清晰,ASML的EUV光刻机正在被“围剿”

原标题:四条路线基本清晰,ASML的EUV光刻机正在被“围剿”

在光刻机领域内,ASML是当之无愧的巨头,因为ASML研发制造的DUV光刻机和EUV光刻机几乎占领了中高端市场。

尤其是EUV光刻机,其更是生产制造7nm以下制程芯片的必要设备,至今仍供不应求。

但ASML却不能自由出货,尤其是EUV光刻机。据悉,EUV光刻机被研发制造出来后,其就不能自由出货,甚至连外企中国分厂出货都不行。

也正是因为EUV光刻机不能自由出货,再加上产能不足、生产成本高等因素,越来越多的厂商开始绕开EUV光刻机生产制造芯片,或者说是抛弃ASML的EUV光刻机。

四条路线基本清晰,ASML的EUV光刻机正在被“围剿”

就目前而言,已经有四条基本清晰的路线,目的就是绕过ASML的EUV光刻机,也可以说是“抛弃”EUV光刻机,让其不再是生产制造7nm等芯片的必要设备。

第一条,光电芯片路线。

任正非曾明确表示,要想在硅芯片技术上完全绕开美技术并非易事,而光电芯片则完全可以绕开美技术。

关键是,光电芯片还具备更大、更快的传输特点,更适合万物联网。

华为已经计划投资10亿英镑在剑桥附近建设光电芯片研发中心等。除了华为之外,还有很多国家和地区的企业都在发展光电芯片。

据悉,荷兰已经计划投资11亿欧元研发光电芯片等相关技术,目的就是想在下一代芯片领域内提前布局,而德国相关机构也已经开始就光电芯片相关课题进行研究了。

第二条,佳能、铠侠等联合推出NIL工艺路线。

要想生产7nm芯片以下制程的芯片,EUV光刻机可以说必需品,虽然DUV光刻机也可以,但成本高、工艺复杂,台积电都不用了。

由于EUV光刻机产能不足且不能自由出货,很多厂商都想绕过EUV光刻机生产制造7nm等芯片。

于是,佳能、铠侠等厂商联合研发了NIL工艺,目前该工艺已经用于生产15nm的储存芯片。

根据佳能等联合发布的消息可知,其计划将NIL工艺也用于生产非储存芯片,2025年就能够量产5nm制程的芯片,并计划在全球范围内推广该技术。

相比EUV工艺而言,NIL工艺不需要EUV光刻机,不仅能够降低90%的设备费用,还能够节约大量的能源费用。

可以说,NIL工艺的出现,让生产制造7nm、5nm等芯片不用再依赖EUV光刻机。

第三条,俄计划研发先进的X射线光刻机。

英特尔、高通、ARM以及ASML等纷纷宣布暂停向俄当地市场出货,俄不仅计划投资超9000亿发展ICT产业,还计划投资超3万亿发展芯片半导体技术。

其中,计划今年量产90nm制程的芯片,2030年量产28nm等制程的芯片,关键是,俄方面还计划研发先进的X射线光刻机。

相比现有的EUV光刻机,X射线光刻机采用了更为先进的X射线作为光源,其下限更大,可以带来更高的光刻精度。

第四条,堆叠技术芯片,实际上是先进的封装技术。

堆叠技术芯片并不陌生,因为英特尔、英伟达等早就推出了类似的芯片,但苹果的M1 Ultra芯片将堆叠芯片技术推向了公众面前。

华为也做出了明确的表态,未来可能会采用多核架构的芯片,用堆叠、面积换性能,并发布了多项与堆叠芯片有关的专利,主要涉及制造以及成本控制等。

据悉,堆叠技术的芯片实际上就是一种采用先进封装技术的芯片,将多颗芯片封装在一起,从而实现强大的性能,但芯片制程不变。

可以说,先进的封装技术也能大大提升芯片的性能,台积电的封装技术更是将单颗7nm芯片的性能提升40%,关键是不改变芯片制程。