长鑫科技上市，一举问鼎A股市值第一，验证了中国硬科技企业的资本化路径。产业层面，长鑫科技打破海外三巨头垄断，未来有望借助上市融资实现技术突破与产能爬坡，进而改变全球市场竞争版图

文｜《财经》记者 张建锋 杨秀红 研究员 康国亮

编辑 | 杨秀红

2026年7月，A股市场出现一场盛宴——国产存储芯片龙头长鑫科技（688825.SH）上市，上市首日即凭借超3万亿元的市值跃升为A股市值第一。上市后几日，其盘中市值一度冲上4万亿元的大关，紧追中国市值最高的公司腾讯控股。

上市前一日，长鑫科技在上海外滩的五星级酒店举办股东答谢酒会，300余名嘉宾参会。

与这些热闹的场景形成对比的是，处在旋涡中心的长鑫科技基地异常平静。7月28日下午，《财经》走访位于北京经济技术开发区经海三路51号院的长鑫集电（北京）存储技术有限公司（下称“长鑫集电”）。当日阳光炽热，其厂区院内安安静静。长鑫科技三座晶圆厂运营主体分别对应三家子公司，北京基地是其中之一，由长鑫集电运营。此前，《财经》发给公司的采访，未获任何回应。

《财经》采访了几位长鑫集电的员工，部分员工表示，公司不让随便跟陌生人交流。另有多位长鑫集电员工表示，未持有长鑫科技股份，公司数万亿元的市值暂和自己无关。

作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化企业，长鑫科技上市意义重大。

“长鑫科技上市标志着A股正式补齐半导体制造核心拼图，其意义远超单一企业上市。”南开大学金融学教授田利辉对《财经》表示，其重构了半导体估值逻辑，并验证了中国硬科技企业的资本化路径。

宁波燕创2021年参与长鑫科技B轮融资，该公司合伙人、投资负责人郭成威告诉《财经》：“长鑫科技上市，标志着国产存储芯片实现从0到1突破；在国际三巨头掌控全球90%份额的寡头格局下，其规模化商用将重塑产业链生态，拉动上游设备材料、下游封测模组全链发展，助力中国在AI（人工智能）浪潮中掌握存储话语权。”

IPO发行阶段，由于市场认购热情高涨，长鑫科技IPO募资金额由此前的295亿元提升至579.19亿元（超额配售行使前），成为科创板2019年开板以来最大的IPO项目。

资本追捧的背后，是此轮超乎预期的存储行业周期。2025年下半年以来，AI算力需求爆发驱动存储芯片价格大幅上涨。

瑞银东盟研究主管及亚太区科技研究主管Nicholas Gaudois（尼古拉斯·戈杜瓦）告诉《财经》，存储行业周期主要看供需关系，本轮存储紧缺源于2023年-2024年海外厂商有节制的扩产和AI需求爆发超出预期，产能释放滞后致供需紧张要到2028年二季度才趋平衡。

“这轮行情不能只用传统库存周期解释。需求端，AI基础设施建设带动服务器DRAM和HBM（高带宽内存）需求快速增长；供给端，海外头部厂商将更多产能投向HBM和DDR5等高端产品，客观上压缩了成熟型DRAM产品的供给。”耀途资本创始合伙人杨光告诉《财经》，结构性需求和产能重新分配叠加，使这一轮周期比过去更加复杂。

受行业周期高景气度带动，以DDR（双倍速率同步动态随机存储器）、LPDDR（低功耗双倍速率同步动态随机存储器）成熟型产品为主要收入来源的长鑫科技，将盈利时间提前至2025年。2026年上半年，公司预计实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长22倍至25倍。

与三星电子、SK海力士、美光科技等国际头部公司相比，长鑫科技在营收、市占率、产品丰富度等方面仍有差距。

值得注意的是，中国存储企业产品，已经逐步进入国际大客户的视野，释放出国产存储加速切入全球供应链的信号。据媒体报道，苹果、谷歌等国际科技巨头正密集推进国产存储芯片导入。

Nicholas Gaudois对《财经》表示，中国存储企业对于海外客户的直接销售占比仍偏低，但出现积极信号：部分国际头部客户已启动产品测试，虽受政策等因素影响，入链仍有不确定性，但已获头部国际客户关注，印证中国产品竞争力获认可。

中信证券表示，在全球DRAM供应紧张，境外、海外客户需求供应链多元化的背景下，长鑫科技DDR、LPDDR产品有望加快海外认证，逐步走向全球。

刷新多项IPO纪录

7月27日，长鑫科技正式在上交所科创板挂牌交易，开盘价定格于49.5元/股，较发行价上涨471.59%，总市值直接冲上3万亿元大关，一举超越工商银行登顶A股上市公司市值榜首。

上市首日交易仅一小时后，成交额就突破千亿元。有机构对《财经》表示，由于成交格外火热，部分机构甚至出现被暂时限制买入的情况。当日长鑫科技成交额达1411.87亿元，收盘总市值达3.28万亿元。

据《财经》统计，长鑫科技上市创下了多项历史纪录：科创板有史以来最大的IPO、A股近十年募资金额最大的IPO、A股市场有史以来最大的科技股IPO。此外，在上市首日，其还刷新了多项A股历史纪录：A股市值第一股、首只单日成交额突破千亿元个股、首只开盘市值突破3万亿元的科技股、首只换手率超60%的新股等。

在随后几个交易日，长鑫科技股价震荡走高，并在7月31日盘中市值一度突破4万亿元大关，不断刷新A股纪录，当日收盘市值为3.61万亿元。长期以来，中国市值最高的公司为腾讯控股，该股7月31日的总市值为3.74万亿元。如果长鑫科技继续上涨，有望超越腾讯控股，拿下中国市值第一股的头衔。

在新股发行阶段，因投资者认购热情高涨，长鑫科技募资金额由原计划的295亿元增至579.19亿元（超额配售行使前），成为科创板2019年开板以来募资金额最大的IPO，也是A股市场有史以来最大的科技股IPO。如全额行使超额配售选择权，长鑫科技募资总额还将进一步增至666.07亿元，有望超越中国神华及建设银行，成为A股有史以来IPO募资总额第三名。

在正式的发行认购阶段，长鑫科技获得285家机构管理的1.1万个账户和942.88万散户投资者的争相抢购，其中网上散户有效申购股数高达8169.2亿股，网下机构有效申购股数约12.38万亿股。最终经过回拨机制，网上散户投资者共有770万个中签号码，网下机构投资者获配21.73亿股。

此外，包括国家队、险资、产业资本在内的30家战略投资者，在战略配售阶段参与认购长鑫科技，锁定期为12个至36个月。其中，以全国社保基金、国调基金二期为主的国家队认购76亿元，占战略配售总额的五成以上。

“长鑫科技本次战略配售汇集了国家级基金、保险资金、产业投资者以及公司高管与核心员工，体现了资本市场各方力量对集成电路产业发展和企业长期价值的关注与认可。”中金公司投资银行部相关负责人对《财经》表示，“不同类型投资者发挥各自优势，共同参与、长期支持，有利于进一步凝聚发展共识，优化股东结构，为企业持续推进技术创新和高质量发展创造更加有利的条件。”

借着资本市场“科技牛”东风及自身在存储芯片领域的硬实力，长鑫科技IPO从受理到过会仅用时148天，进展迅速。

2025年10月，长鑫科技完成辅导验收，具备了IPO申报资格。2025年12月30日，上交所正式受理长鑫科技IPO申报材料，为2025年6月证监会提出科创板预先审阅制度以来首单预先审阅试点企业，申报前长鑫科技已完成两轮问询，大幅缩短审核周期。

上述中金公司投资银行部相关负责人告诉《财经》，“对长鑫科技这类在关键核心技术领域持续深耕的战略科创企业而言，预先审阅制度能够有效帮助公司减轻因过早披露业务技术信息、上市计划可能对其生产经营造成的不利影响，守住核心技术与经营信息安全；同时审核效率的提升也为公司加速技术攻坚创新、完善业务重大战略布局、高效抢抓市场发展机遇、引领国内产业高质量发展注入了关键动能。”

公开资料显示，长鑫科技创立于2016年6月。企查查显示，2018年长鑫科技启动天使轮融资，到2025年6月上市前的最后一轮融资，八年间长鑫科技共计完成九轮IPO前融资，累计融资规模达数百亿元。

长鑫科技上市时点，处于全球存储芯片产业周期、业绩周期及资本周期三重周期共振的阶段。在存储超级周期下，作为中国第一、全球第四的国产DRAM巨头，长鑫科技的上市动态一直牵动着资本市场的神经。

中国人寿旗下的国寿投资参与了2020年长鑫科技的A轮融资，了解情况的国寿投资相关人士对《财经》表示：“长鑫科技上市是中国存储芯片产业国产化突破的里程碑事件，它真正补齐了国内存储产业短板，彻底解决了国内高端DRAM存储芯片的国产化空白问题。”

“长鑫科技（专注DRAM）与长江存储（专注NAND）是中国存储芯片自主可控双支柱。存储属重资产高投入赛道，需巨资持续研发扩产。当前AI驱动存储超级周期，景气高位恰逢双雄业绩兑现，正处最佳上市窗口，借资本募资巩固竞争地位。”一位机构投资者对《财经》表示。

朱一明在此前上市路演中表示，登陆资本市场，对长鑫科技而言，既是新的起点，更意味着新的责任。希望通过本次募集资金投资项目，进一步提升公司技术研发能力和产业化水平，为中国集成电路、产业生态建设贡献更大力量。

长江商学院金融学教授、高层管理教育项目副院长周春生告诉《财经》，长鑫科技上市是注册制下资本市场服务硬科技的里程碑事件，突出科创板“扶科”本色，强化资本对科技创新支持。证明A股注册制已具备承接巨无霸型科技企业融资的能力，资本市场真正成为科技自立自强的核心资金渠道，夯实了科创板“硬科技”的板块标签。

AI催动业绩爆发

受益于人工智能引发的存储超级周期，长鑫科技将盈利时间提前至2025年，但公司来自服务器领域收入占比较低的短板依然存在，与国际市场服务器领域占DRAM市场50%的需求格局相比，尚不匹配。

长鑫科技曾长期处于亏损状态。2022年至2024年，长鑫科技营收从83亿元增至242亿元，但归母净利润亏损金额均超71亿元。2025年上半年公司仍处于亏损状态。

DRAM行业具有规模导向属性和极高技术门槛，扩产带来的固定资产折旧叠加持续加大研发投入，是长鑫科技此前持续亏损的主要原因。

数据显示，2022年至2025年上半年，公司研发费用率分别为30%、50%、19%、24%，均远超其竞争对手三星电子、SK海力士、美光科技同期数据。

2025年下半年以来，随着DRAM价格大幅上涨，长鑫科技业绩进入爆发期，并于当年实现盈利，早于公司此前预测的2026年或2027年实现盈利的时间。

长鑫科技预计，2026年上半年营收为1100亿元至1200亿元，同比增长6.12倍至6.77倍；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长22倍至25倍。

以2026上半年的盈利水平计算，长鑫科技在2025年半年报A股上市公司盈利榜中排名第十位，仅次于国有大行等公司。

业绩快速扭亏为盈的背后，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势。

长鑫科技营收主要来自DDR系列、LPDDR系列，2025年上述两类产品营收分别占营收比例的32%、66%，合计占比超九成。低功耗LPDDR系列销售占比高，主要因其应用于智能手机和平板电脑领域，公司快速拓展下游客户，需求旺盛且增长迅速。

产品量价齐升，是公司业绩增长主要因素。2025年，长鑫科技DDR系列产品单位价格和销量（按容量）同比增幅分别超六成、超2.8倍；LPDDR系列产品单位价格和销量分别增长超两成、超六成。

同时，公司产品结构持续优化。长鑫科技称，2025年，由于DDR5和LPDDR5X等高单价产品快速放量、收入占比提升，叠加下半年全球算力需求增长及主要厂商产能调配导致供给紧张，公司DDR和LPDDR系列产品单价进一步显著上升。

AI的爆发令市场对存储芯片的需求仍在增长。有投行人士告诉《财经》，目前国内人工智能公司数量已有几百家且还在增长，未来对存储行业需求依然庞大，行业增长不是市场普遍认知的线性增长，而是几何增长。

不过，从产品下游收入结构来看，公司仍有很大的优化空间。招股书显示，从公司下游应用领域收入占比来看，移动设备领域依然是长鑫科技主要收入来源，在当下市场需求火热的AI算力服务器领域，其收入占比虽快速提升，但占比依然偏低。

2023年至2025年，长鑫科技在移动设备领域收入占公司营收的比例均超六成；服务器领域的营收占比从4.6%提升至27%。但2025年全球DRAM市场中，服务器领域需求占比达到50%，与此相比，公司在该领域收入占比依然较低。公司表示，随着AI需求增长及产品放量，该领域收入及占比有望持续提升。

朴拙资本执行合伙人苗天一告诉《财经》，长鑫科技AI算力服务器DRAM收入占比偏低，核心由产品认证、高端制程、产能分配、客户壁垒等因素共同导致：第一，AI服务器所用DDR5、高速企业级DRAM、HBM等高带宽存储需要经过云厂商、服务器大厂严苛的长期可靠性、兼容性认证，海外三星电子、SK海力士、美光科技凭借数十年合作壁垒占据核心算力供应链，国产存储认证周期漫长；第二，长鑫科技现阶段产能、工艺优先向成熟度更高、良率更稳定的移动端LPDDR倾斜，服务器尤其是AI算力专用存储制程、高速架构、堆叠封装仍处于研发与小批量验证阶段，大规模量产能力尚未形成；第三，AI算力DRAM需要配套完整的内存控制器、信号调校、固件适配方案，整体解决方案能力相较于海外龙头仍有差距；第四，头部云厂商、AI算力集群供应商的采购体系长期绑定海外原厂，国产替代导入节奏循序渐进。

虽然近年来业绩持续增长，但长鑫科技也面临着固定资产建设投资及折旧金额较大、存货跌价等风险。

2023年至2025年，长鑫科技计提固定资产折旧金额分别为106亿元、149亿元、247亿元，呈现上升趋势。公司还在持续扩建产能，固定资产账面价值预计将进一步增加。

同期，长鑫科技存货跌价损失金额分别为115亿元、18亿元、5亿元，2023年受DRAM行业周期下行让存货跌价损失计提大幅增加。未来，如果行业周期、市场需求或公司产品的市场价格发生变化，使得部分存货的售价不能覆盖成本，公司将面临存货跌价增加的风险。

长鑫科技提醒，未来如果宏观经济发生不利变化、人工智能下游需求不及预期、市场供需关系发生较大变化，可能导致DRAM行业再次进入下行周期，可能导致公司产品价格出现大幅下跌，业绩出现大幅下滑乃至亏损，2026年上半年的业绩大幅增长的情况存在不可持续的风险。

国际差距仍明显

与存储行业国际头部公司相比，长鑫科技在营收、市占率、产品丰富度等方面仍有差距，但部分差距在缩小。在国际巨头积极抢占市场份额的HBM产品方面，公司尚未产生明确收入。

营收层面，2026年一季度，三星电子、SK海力士营收分别是长鑫科技营收的11.98倍、4.71倍；两家公司归母净利润分别为长鑫科技的8.64倍、7.4倍。2026年上半年，三星电子营收、归母净利润分别为长鑫科技同期预测最高值的11.21倍、9.15倍，收入差距稍有缩小，利润差距在加大。

根据Omdia数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技占全球DRAM市场90%以上的市场份额。2025年二季度，长鑫科技全球市场占有率为3.97%；同年四季度，公司市场份额已增至7.67%。根据Counterpoint Research数据，2026年一季度，公司占全球市场份额增长至8%。

产品布局与迭代方面，与国际前三家DRAM厂商相比，公司产品系列相对更少。目前长鑫科技产品主要以DDR、LPDDR等产品为主，三星电子、SK海力士、美光科技产品布局包括DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。长鑫科技产品系列相对更少，尚未明确在HBM产品方面的布局，但DDR5、LPDDR5/5X主力产品与竞争对手基本相当。

公开资料显示，HBM产品具备高带宽、低延迟等优势，广泛应用于GPU（图形处理器）等AI芯片、高性能计算、超算中心，受益于人工智能应用快速发展，逐渐成为未来发展的主流方向。凭借深厚的技术积累和经验，三星电子、SK海力士、美光科技在HBM细分领域延续了市场主导地位。

根据Yole数据，2024年HBM出货量占全球DRAM出货量比例为5%，但因受益于较高的单价，按销售额统计，其当年度市场份额占比约为18%。

工艺制程方面，据TechInsights数据，长鑫科技与海外原厂有两代至三代差距。公司“跳代研发”快速追赶海外龙头，第四代工艺技术平台部分工艺技术已达国际领先水平。DRAM晶圆架构方面，长鑫科技前瞻布局4F2+CBA技术，等效制程有望加速追赶。

产能规模方面，长鑫科技坦言，公司产能规模距离国际前三家DRAM厂商仍有一定差距。国际前三家厂商凭借自上世纪80年代以来的长期产能扩张与整合，占市场主导地位，长鑫科技业务发展起步相对较晚，仍处于大规模产能建设与爬坡阶段。

根据长鑫科技招股书，此次募集资金中，75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，130亿元用于DRAM存储器技术升级，合计205亿元直接投向产线及工艺升级。资料显示，长鑫科技上述两项生产类项目设备购置及安装费合计221亿元，占总投资的64%。

中信证券表示，参考SK海力士M15X等海外DRAM项目，先进DRAM产线设备端资本强度约为80亿元-100亿元/万片月产能，则长鑫科技221亿元设备购置及安装投入，对应约2万片-3万片/月设备等效产能。随着合肥二期及北京基地进一步设备填充、工艺切换和良率提升，预计长鑫科技2026年月产能有望提升至30万片以上，同时制程迁移将推动单晶圆bit（比特，数字存储、数据传输的最小计量单位）产出增长，实际有效位元产能增速或快于晶圆投片增速。

在长鑫科技上市前三天，高盛召开内部会议，其预计，到2030年，长鑫科技年产能有望较当前水平翻倍以上。目前长鑫科技产能布局横跨合肥、上海、北京三大生产基地，预计2028年前全部投产。

此外，有机构指出，长鑫科技是中国存储龙头，中芯国际是中国芯片制造的龙头，从产业链位置来看，长鑫科技相当于SK海力士，中芯国际相当于台积电。两者底层技术都受制于高端EUV光刻机（极紫外光刻机）等“卡脖子”设备的限制，都靠成熟制程DUV光刻机（深紫外光刻机）多重曝光技术勉强够用，差距仍相当明显，若后续实现技术突破，二者同步具备改善空间。

上述投行人士告诉《财经》，“中国存储行业与国际头部公司的差距，主要还是起步时间较晚，如果有足够的时间，除光刻机之外的其他限制，基本都可赶上。”

苗天一告诉《财经》，“长鑫科技与三大国际巨头存在上述差距，除了起步时间较晚，根源在于多重产业壁垒叠加：资本积累代差、上游设备材料受限、底层工艺与专利积累不足、HBM等高附加值品类布局薄弱、全球化运营能力有限等。”

郭成威总结，国产存储与国际龙头的差距有多重客观成因：DRAM属重资产赛道，三星等头部厂商数十年千亿级投入形成庞大规模效应，大幅摊薄成本；国际巨头手握海量底层专利构筑护城河，后发企业专利绕开与自主积累周期漫长；海外厂商长期服务全球客户，在多场景完成海量验证、沉淀完整产品谱系，国内企业高端服务器等高端场景认证迭代仍需时间；叠加美国全产业链管制限制设备、材料、人才流通，进一步抬高了发展成本。

差距客观存在，但长鑫科技等中国存储头部公司本土优势也逐渐显现。

经过多年发展，长鑫科技已具备产品和技术快速迭代能力、统筹协调和规模化生产运营管理能力、高效的客户响应能力，并立足国内庞大的市场与上下游合作伙伴构建了强大的产业生态，形成了较好的市场竞争优势。

Yole数据显示，2024年中国DRAM市场规模约250亿美元，占全球市场比例超四分之一，是全球主流DRAM消费大国，中国在该领域长期高度依赖进口，本土厂商仍有广阔的发展空间。

在上述国寿投资相关人士看来，长鑫科技后发优势显著，核心体现为产业链、人才、政策三重红利：一是依托国内完整半导体产业链，供应链配套成本更低、上下游协同紧密、产业生态持续优化；二是受益于工程师红利，专业人才密度提升，工程化落地与技术迭代能力快速进步；三是获国家战略规划与地方创新政策加持，研发、产能及产业化落地保障充足。整体来看，三重优势将驱动其追赶提速，持续缩小与国际巨头代差，逐步改写全球存储竞争格局。

郭成威总结，长鑫科技可从以下方面缩小差距：坚持高强度研发投入，攻坚架构创新与工艺突破，完善专利布局，加速DDR5、AI存储等高附加值产品迭代；稳步扩产释放规模效应，持续提良降本；依托本土完整供应链，深化与算力、车规、工业等下游头部客户协同，加速多场景验证、丰富产品矩阵；开放赋能国产设备材料验证，完善本土产业生态，发挥敏捷响应优势走差异化追赶路径。“存储竞争是长跑，急需产业、资本与上下游长期耐心陪跑。”

值得注意的是，长鑫科技综合毛利率已与国际三巨头有一较高下之力。2025年，受益于规模效应显现、产品结构优化及DRAM价格大涨，长鑫科技综合毛利率提升至40.99%，同期，三星电子、美光科技毛利率低于40%，SK海力士毛利率为60.41%。

中信证券预计，考虑DRAM平均销售价格大幅上涨、DDR5及LPDDR5/5X等高端产品占比提升、产能利用率和良率改善等因素，长鑫科技2026年综合毛利率将升至81.6%。2027年-2028年，随着存储价格涨幅逐步正常化、折旧金额持续增加，公司综合毛利率分别回落至76.9%、72%，但仍显著高于2025年水平。

未来估值与周期

长鑫科技上市后，市场关注的焦点是，这家市值超3万亿元的公司，会不会成为下一个中石油？其合理的估值是多少？近期全球资本市场对半导体产业发展前景的分歧加剧，长鑫科技所处的存储行业景气度能延续多久？

“市场将长鑫科技与中石油‘上市即巅峰’类比，本质是对‘大额IPO+周期行业’的历史记忆与刻板反应。历史固然可以参考，但现实更值得重视。”周春生对《财经》表示：“长鑫科技与中石油在行业属性、成长逻辑、市场环境等方面存在本质区别，担忧存在明显的情绪放大。”

周春生解释称，中石油上市时，石油化工是成熟传统周期行业，国内需求增速已放缓，公司作为全球顶级巨头，业绩增长接近天花板，是典型的“成熟期周期股”。而长鑫科技所处的存储行业，周期属性之外更有国产替代成长属性——国内存储自给率仍处低位，长鑫科技正处于产能扩张、技术追赶、份额快速提升的成长期，成长确定性强，并非成熟行业的顶部标的。

从长鑫科技上市后的表现来看，其自7月27日上市，上市首日收盘价为49元/股，总市值站上3万亿元。此后股价有所波动，7月29日创下上市后的最高收盘价，达到52.95元/股。截至7月31日，其收盘价为53.97元/股，总市值为3.61万亿元，股价整体表现平稳。

从估值来看，综合各大机构给出的研判，其对长鑫科技未来的估值存在较大差异。多家机构给出的估值在2万亿元-5万亿元区间，海外投行野村证券则给出了超7万亿元的估值。

近日，野村证券给予长鑫科技的目标价为116元/股。该目标价基于2028年预测每股收益（EPS）5.8元的20倍市盈率，该估值为美光科技估值的两倍，主要考虑到长鑫科技的市场份额增长以及中国市场的估值溢价。按照这一目标价计算，长鑫科技未来估值将达7.76万亿元。

野村证券认为，即使考虑到内存效率技术带来的4倍使用量折扣，强劲的代理式AI需求将推动2026年-2030年全球内存使用量增长7倍以上。受市场需求等因素推动，2028年底，长鑫科技全球DRAM市场份额提升至约18%。

摩根士丹利未给出固定目标价，其在长鑫科技IPO前夕发布的一份报告中写道：“中国半导体多头预计长鑫科技的市值将达到IPO市值的数倍”。

国内券商给出的估值亦存在较大差距。东北证券分析师李玖通过市场份额相对估值法，测算长鑫科技的合理市值区间在3.2万亿元至5.7万亿元之间。多数市场机构的中性预期则集中在2万亿元至3万亿元，对应股价约30元/股至45元/股。从长鑫科技最新股价看，其市值已经超过多家机构的估值中枢区间。

中信证券预计，考虑长鑫新桥、长鑫集电等非全资子公司的少数股东损益影响，预计公司2026年-2028年归母净利润分别为1522.15亿元、2054.74亿元、2282.23亿元。按照长鑫科技678.84亿股（超额配售选择权全额行使后）的总股本计算，其2026年-2028年的每股收益为2.24元、3.02元和3.36元。其预测的2028年每股收益低于野村证券给出的5.8元。

国金证券较为激进，其预计，长鑫科技2026年-2028年分别实现归母净利润1518.31亿元、2521.81亿元和3510.35亿元。华西证券则认为，长鑫科技2026年-2028年归母净利润分别为1244.05亿元、1821.17亿元和2906.02亿元。

有机构认为，上述巨大的估值分歧，核心在于对长鑫科技远期全球市场份额（17%vs更高预期）以及HBM技术突破速度的判断不同。

值得注意的是，野村证券在研报中提醒，MATCH法案及潜在制裁是主要下行风险，需密切关注供应链本土化进程。其表示，美国的MATCH法案旨在通过协调盟友限制中国获取先进芯片制造技术。虽然长鑫科技在不使用EUV的情况下仍可开发12纳米-16纳米节点，但其关键外国设备和材料（如光刻胶）的获取值得监控。目前长鑫科技的设备本土化率约为40%。在最坏情况下，假设长鑫科技在上海的产能扩张（占2028年总产能的30%-40%）被推迟，这将对其收入和净利润产生显著负面影响。

中信证券认为，国际贸易摩擦导致设备、零部件及材料供应受限是长鑫科技面临的风险之一。此外，该公司未来面临的主要风险还包括：DRAM行业价格及景气周期波动风险；AI需求及云厂商资本开支不及预期风险；产品和工艺研发、客户验证及良率提升不及预期风险；全球DRAM市场竞争加剧风险等。

从存储周期行业前景来看，市场普遍看好这一轮景气周期，不过，对于此轮周期的时长，市场则存在分歧。乐观者认为，此轮景气周期有望拉长至2028年；而谨慎者认为，这轮景气周期可能在2027年见顶。

Nicholas Gaudois向《财经》表示，“部分云厂商继续确认并调高AI资本开支，是存储与AI芯片行情向上的核心驱动力；供应链层面，瑞银预计DRAM平均价格2026年三季度预计环比涨22%、四季度再涨12%。”

瑞银认为，从基本面来看，受AI对存储芯片真实消耗远大于历史周期、需求结构升级（训练转向推理）、长期协议平滑周期波动、国际头部公司的估值仍在有吸引力的水平等因素影响，看好存储芯片景气周期拉长至2028年。

“从三大原厂的公开口径看，服务器存储需求仍然强劲，客户需求总体超过供给；其中美光科技明确判断，DRAM和NAND的紧张状态可能延续到2027年之后。”杨光告诉《财经》，“技术上我们也在关注面向AI推理场景的HBF（高带宽闪存）。HBF目前仍处于标准化和样品开发阶段，尚不是本轮供给紧张的主要原因，但未来可能使AI对存储的拉动进一步从HBM延伸到NAND。”

国金电子团队研究员应明哲对《财经》表示，看好存储上行周期延续至2027年，核心在于供给紧缺持续。当前大模型训练、推理催生海量存储需求，而晶圆厂在建设、设备采购等制约下，新产能释放需约两年周期，原厂扩产节奏难以匹配需求爆发，供需缺口将支撑存储价格与规模再上新台阶。

TrendForce（集邦咨询）认为，PC、手机等消费市场客户的价格承受能力已接近上限，预计2026年三季度传统DRAM合约价格仍将环比上涨，但涨幅将明显收窄。随着价格涨幅放缓，市场将再逐步寻找新的供需平衡。

应明哲给出了判断存储周期拐点的依据：存储行业周期由供给、需求、价格三角互制。供需格局影响周期位置：需求快增入上行，新产能释放缓紧缺。价格具大宗商品属性，紧缺催涨价，预期未来供需缓解则价增斜率走低。价格增速放缓即周期拐点前兆，是判断景气转向的核心信号。”

不过，多家机构认为，目前头部的存储公司正在跟下游厂商签订长期协议，有望平滑存储周期带来的影响。

“传统存储行业是典型的强周期行业，但当下行业已经发生深刻变化。一方面，行业企业普遍通过签订长期供货协议等方式，主动平滑行业供需与价格波动，大幅弱化了传统周期特征。另一方面，长鑫作为行业新兴核心力量，上市后拥有充足的资金储备，未来技术迭代、产能扩张、国产替代的空间巨大，有望重塑行业格局，后续发展值得期待。”上述国寿投资相关人士对《财经》表示。

Nicholas Gaudois称，“头部的存储公司正在跟下游厂商签订长期协议，海外公司这一趋势比较明显，能锁定更有利的长期价格，即使在下一轮的行业调整周期下，行业调整幅度可能会远小于历史周期调整幅度。”

（本刊记者张欣培、郭楠对此文亦有贡献）

责编 | 杨明慧

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