3日午后，A股市场半导体设备板块异动拉升，成为当日盘面焦点。截至13时19分，千亿巨头盛美上海（688082.SH）涨超16%，强势领涨；芯源微（688037.SH）、华峰测控（688200.SH）、拓荆科技（688072.SH）、矽电股份（301629.SZ）、长川科技（300604.SZ）、富创精密（688409.SH）等跟涨。

消息面上，市场情绪被一则来自产业前沿的重磅消息点燃。据财联社报道，6月2日，韩国SK集团会长崔泰源在台北电脑展（Computex）现场对媒体透露，旗下存储芯片公司SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番，以应对全球人工智能基础设施建设带来的内存芯片持续短缺。

事实上，SK海力士的大规模扩产计划，正是全球存储行业迈入超级景气周期的典型缩影。高盛今年2月研报显示，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。2026年全球DRAM市场供需缺口达4.9%，NAND Flash缺口达4.2%，AI核心配件HBM（高带宽内存）缺口更是高达5.1%，均为2011年以来最高水平。

在AI算力需求爆发的大背景下，以HBM为代表的先进存储产品供不应求，正驱动存储厂商开启前所未有的产能扩张与技术升级。崔泰源的公开表态，被市场视为全球存储芯片产业新一轮大规模资本支出周期启动的关键标志。

国际半导体产业协会（SEMI）的最新预测也印证了行业高景气态势。据SEMI预测，2025年全球半导体制造设备市场规模预计达1330亿美元，同比增长13.7%；2026年、2027年将分别达到1450亿美元和1560亿美元。SEMI认为，增长势头迅猛的原因在于AI需求扩大，进而带动高端逻辑芯片、存储芯片、尖端封测等各领域的投资。

先进逻辑与存储制程迭代正推动设备价值量持续提升。

东吴证券认为，AI驱动先进逻辑与存储扩产，资本开支进入新一轮上行周期。在AI算力需求爆发背景下，全球半导体设备市场规模持续创新高。存储端，HBM带动DRAM高阶制程升级，3DNAND向400层以上堆叠演进，单万片产能投资额同步提升。中国大陆晶圆产能全球占比仍低于销售占比，逻辑与存储龙头资本开支维持高位，叠加两大存储厂商上市融资在即，扩产动能具备持续性，支撑前道设备景气度中长期上行。

国泰海通证券同样认为，存储产业链景气上行与自主可控深化，将共同推动半导体设备需求释放。一方面，存储扩产具有资本开支强度高、设备弹性大的特点，半导体设备订单中存储占比较高的公司有望受益更明显；另一方面，长存、长鑫等国产存储龙头扩产节奏明确，将持续带动刻蚀、薄膜沉积、检测、CMP、涂胶显影等核心前道设备需求。当前国产设备公司已从单点突破进入平台化扩品类阶段，设备龙头持续拓展先进逻辑与存储高端工艺，自主可控从成熟制程向更高端环节推进。

投资策略方面，兴业证券认为，“先进工艺扩产”将成为自主可控主线，建议关注北方华创、中微公司、中科飞测、拓荆科技、华海清科、精测电子、安集科技、广钢气体、鼎龙股份等；此外，CoWoS及HBM卡位AI产业趋势，先进封装重要性凸显，建议关注精智达、芯源微、华峰测控、盛美上海、华海诚科等。

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