美光HBM4量产加速 HBM4E明年投产 美光科技HBM4产能现状 美光科技hbm4进展
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2026-05-25 17:01:46
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据THE ELEC 5月25日报道,美光科技(MU.US)第6代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利,速度较去年HBM3 12层产品提升两倍,良率同步改善。美光全球运营副总裁Manish Bhatia在摩根大通(JPM.US)会议上披露,该产品将应用于英伟达(NVDA.US)Rubin AI计算平台。

提速得益于HBM3/HBM3E量产经验积累,HBM4核心DRAM采用1β(10纳米5代)成熟工艺,搭配自研基底芯片,性能与稳定性显著提升。

下一代HBM4E将实现战略调整:核心DRAM升级为首次导入EUV的1γ(10纳米6代)工艺,基底芯片(Base Die)不再自研,转由台积电(TSM.US)代工。计划于2027年量产,首批为JEDEC标准品,并同步推进定制版开发。

同期,三星HBM4E预计2026年Q2送样、基底自产;SK海力士则计划2026年下半年送样、2027年量产,基底采用台积电3纳米工艺。美光规划2026年中,1γ DRAM与9代NAND出货量将占总容量半数以上,1γ将成为其最大单一DRAM工艺。

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