中微公司一季度营收增长超三成，净利润增长近2倍 中微公司2026年一季度业绩 中微公司一季度净利润3.13亿
4月27日晚，中微公司（688012）发布2026年第一季度业绩。期内，公司实现营业收入29.15亿元，同比增长34.13%；归属于上市公司股东的净利润为9.30亿元，同比增长197.20%。
中微公司第一季度公司研发支出9.08亿元，较去年同期增长约32.15%，研发支出占公司营业收入比例约为31.14%。
中微公司表示，公司在过去14年保持了营业收入年均增长大于35%、在2025年比2024年增长36.62%的基础上，2026年第一季度营业收入继续保持高速增长，同比增长34.13%，达到29.15亿元。
中微公司解释，第一财季公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。
此外，为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款导体和介质薄膜设备已经顺利进入市场，薄膜设备的覆盖率不断增加，新增付运量保持快速增长，并在客户端持续应用在迭代产品上。
对于本财季净利润的高增，中微公司解释，本期营业收入增长34.13%下，毛利较上年增长约2.60亿元； 此外，公司本期出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约3.97亿元。
中微公司2026 年第一季度归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润约4.78亿元，较上年同期增加1.79亿元，增长60.09%。
中微公司披露，公司累计已有超过8300个反应台在国内外180余条客户芯片及LED生产线全面量产。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。
中微公司提到，在先进存储器件制造工艺中，公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的刻蚀机已有300多台反应器实现了稳定可靠的大规模量产。CCP方面，用于关键刻蚀工艺的介质刻蚀产品持续保持高速增长，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端进行验证，公司已全面覆盖存储器刻蚀应用中各类超高深宽比需求；ICP方面，适用于新一代逻辑和存储芯片制造用的第二代ICP刻蚀设备Primo AngnovaTM在 3D DRAM的应用中， 取得了140:1的高深宽刻蚀结果和形貌控制能力，并付运到国内领先存储客户端认证。全新的化学气相刻蚀设备Primo DomingoTM实现大于700:1的业界领先SiGe/Si的高选择比，在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中，展现优异的刻蚀性能，全面满足客户的各项工艺指标要求。
此外，中微公司在短时间内成功开发出十多种薄膜设备,包括LPCVD、ALD、EPI、 PVD CuBS和PECVD等产品在先进存储和先进逻辑市场新增付运量保持快速增长。公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于SiC和GaN基功率器件应用的市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得了良好进展。