摩根大通在最新研报中指出，当前头部存储芯片制造商的总市值已接近1万亿美元。基于历史估值中枢推算，到2027年这一数字将飙升至1.5万亿美元，意味着头部厂商仍有超过50%的上涨空间。

据追风交易台，12月14日，摩根大通在最新报告中称，当前的周期将是历史上最长、最强劲的存储上升周期。

投资者普遍担忧2027年新产能会导致DRAM供过于求。摩根大通的数据模型显示这种担忧是多余的——HBM的产能挤占和AI推理的结构性需求（推理对内存的消耗是训练的3倍）将导致未来两年DRAM位元供应增长仍将落后于需求增长。

市场正在经历“双轨制”定价。B2B（企业级/AI）需求强劲支撑价格高位，而B2C（消费级）则面临周期性压力。但整体而言，服务器端的需求上行将完全抵消消费端的下行风险。

估值重塑：向1.5万亿美元进军

摩根大通在报告中直击投资者痛点：在存储股过去三个月大幅上涨并逼近1万亿美元市值大关后，下一步怎么走？

摩根大通给出的答案非常明确：继续做多。

基于“市值/市场规模（TAM）”的估值框架，摩根大通预测2027年存储市场规模将达到约4200亿美元。取2018年和2021年周期的市销率（P/S）中值3.5倍计算，头部存储及内存制造商的合计市值有望在2027年逼近1.5万亿美元。

这意味着从当前水平看，头部玩家仍有超过50%的市场上限空间。

供需真相：2027年依然短缺

目前市场上最大的空头论点是：2027年的新建晶圆厂投放和加速的技术迁移将引发DRAM供过于求。

摩根大通通过自下而上的“产能-位元”分析模型驳斥了这一观点：

缺口持续：尽管2027年供需缺口可能从2026年的5%缩小至3%，但仍将处于短缺状态。产能挤占：强劲的CSP（云服务提供商）需求迫使厂商将更多产能分配给HBM。HBM占DRAM总产能的比例将从2025年的19%大幅攀升至2027年的28%。供应受限：2026年常规DRAM产能实际上预计会同比下降，即便2027年有三星P4、海力士M15X等新产能上线，受限于洁净室空间和工艺步骤增加带来的自然产能损失，DRAM位元出货量的增长将被限制在20%以下。

定价权的双城记：B2B的盛宴与B2C的周期

这是一场“存储饥饿游戏”。

CSP和特定二级/三级消费电子品牌正在激进抢夺资源，引发了近期存储价格的急剧上涨。摩根大通预测，从2026年下半年到2027年上半年，市场将出现明显的价格分化：

B2B端（AI驱动）：在AI推理需求的支撑下，价格将保持坚挺。B2C端（消费级）：由于客户对高价的抵触，将面临周期性的价格下行。

关键数据预测：

2026财年（FY26E）：摩根大通模型显示DRAM平均售价（ASP）将暴涨53%，NAND ASP上涨约30%。2027财年（FY27E）：即使在价格高位持续时间延长的背景下，DRAM ASP预计仍将微涨1%，NAND ASP则可能小幅回调6%。

AI驱动力：HBM与eSSD的结构性机遇

HBM（高带宽内存）：GPU与ASIC之争的顺风车 Google Gemini 3.0的积极反馈引发了GPU与ASIC的路线之争，但这对于HBM需求而言是双重利好。

规格升级：Google下一代2nm TPU可能采用HBM4，加上Rubin Pro GPU带来的4倍容量增长，将持续挤压供应链。持续短缺：摩根大通预计HBM的供需短缺（约8%-12%的缺口）将贯穿2027年，甚至可能延续至2028年。

SSD（固态硬盘）：推理应用的关键 AI推理的兴起正在推动企业级SSD（eSSD）的市场扩张。AI服务器对SSD的搭载量是普通服务器的3倍。

由于HDD（机械硬盘）厂商在2026年的资本开支指引谨慎，摩根大通预计eSSD将在未来6个月享受巨大的需求顺风，推动2026财年NAND价格上涨27%。

资本开支：增长但克制

尽管存储厂商宣布了一系列产能扩张计划，但摩根大通认为其实际产生的位元供应增长将被物理迁移挑战所抵消。

设备支出先行：预计存储晶圆厂设备（WFE）的增长将大幅领先于总体资本开支的增长（2026/2027年DRAM WFE分别增长19%/26%）。强度可控：无论是DRAM（低于30%）还是NAND（低于20%），隐含的资本密集度都将低于过去五年的平均水平。这意味着供应端仍保持着显著的纪律性。